Tots aquests processadors innovadors que desenvolupa la “Big Blue” necessiten alguna mena de memoria cau. És per aquest motiu que IBM està ficada en el camp de la innovació de les memòries flash. La companyia s’ha unit a TDK mitjançant una joint venture per crear memòries flash de nova generació, fent servir la tecnologia “spin torque transfer”, que permetrà fer servir la memòria a escales menors de 65nm.
Aquest tecnologia, anomenada STT-RAM, utilitza la polarització spin dels electrons, posant en linia els camps magnètics per representar el 0 i el 1.
Tot i que Intel i altres han invertit molt en una altra tecnologia rival anomenada canvi de fase, IBM diu que la seva STT es molt més ràpida i pot durar més. Tot això significa que la guerra pel nou format de memòria flash comença.
Vía Engadget.
Añadir a Del.Icio.Us
Comentarios de “Emmagatzemament flash d’IBM mitjançant l’spin dels electrons”
Aun no se han realizado comentarios.